机译:电子对InGaN / GaN MQW发光二极管中的效率下降的过冲效应
机译:通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性
机译:两个n电子阻挡层对InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管内部量子效率下降的影响
机译:通过设计电子阻挡层减少GaN / IngaN多量子孔发光二极管的Si-掺杂屏障模型的效率下垂
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:纳米级V凹坑对GaN基绿色发光二极管的电子和光学特性以及效率下降的影响
机译:IngaN / GaN发光二极管中的热和效率下垂:使用温度依赖性RF测量去耦多体效应